<b id="pt7jh"><dl id="pt7jh"></dl></b>
1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低； ◆開關速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通態壓降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術； ◆軟開通特性，開通 di/dt 小，EMI 低； ◆低飽和壓降，導通損耗??； ◆關斷拖尾電流小，軟關斷特性； ◆正溫度系數，適合并聯； ◆高的短路電流能力(6us以上)； ◆開關速度快，開關損耗??； ◆TVj max 達175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術； ◆軟開通特性，開通 di/dt 小，EMI 低； ◆關速度快，關損耗小 ◆關斷拖尾電流小，軟關斷特性； ◆正溫度系數，適合并聯； ◆高的短路電流能力(6us以上)； ◆開關速度快，開關損耗??； ◆TVj max 達175℃； 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
江蘇省省長許昆林蒞臨宏微科技調研… 11月2日下午，江蘇省省委副書記、省長許昆林蒞臨江蘇宏微科技股份… 2022-11-07 了解更多
“宏微科技”首次向公司員工授予限… 宏微科技于 2022 年 8 月 26 日召開第四屆董事會第十三次會議、第… 2022-09-03 了解更多
常州市委書記陳金虎一行走訪慰問宏… 2022年1月26日上午，常州市委書記陳金虎蒞臨江蘇宏微科技股份有限… 2022-01-26 了解更多
芯片
分立器件
功率模塊
BGBM
應用方案
應用筆記
行業信息
